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NTR1P02T1G.
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR1P02T1G.
No. Parte Newark26AC2762
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.148ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd400mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia400
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El NTR1P02T1G es un MOSFET de potencia de canal P que presenta una resistencia de encendido ultra baja que proporciona una mayor eficiencia y prolonga la vida útil de la batería.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.148ohm
Disipación de Potencia Pd
400mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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