Imprimir página
NTR1P02T1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR1P02T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo45J2173
Re-reeling (Rollos a medida)10N9587RL
Cinta adhesiva10N9587
Su número de pieza
4,883 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.548 | $0.55 |
| Total Precio | $0.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.548 |
| 50+ | $0.349 |
| 100+ | $0.232 |
| 250+ | $0.207 |
| 500+ | $0.181 |
| 1000+ | $0.165 |
| 2500+ | $0.162 |
| 5000+ | $0.158 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.098 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR1P02T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo45J2173
Re-reeling (Rollos a medida)10N9587RL
Cinta adhesiva10N9587
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1
Resistencia de Activación Rds(on)0.148ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd400mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia400
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTR1P02T1G es un MOSFET de potencia de canal P que presenta una resistencia de encendido ultra baja que proporciona una mayor eficiencia y prolonga la vida útil de la batería.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.148ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Disipación de Potencia Pd
400mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
Disipación de Potencia
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTR1P02T1G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
