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NTR1P02LT3G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.3 A, 0.22 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR1P02LT3GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7054
Cinta adhesiva81Y7054
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.023 | $0.02 |
| Total Precio | $0.02 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR1P02LT3GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7054
Cinta adhesiva81Y7054
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia400
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NTR1P02LT3G is a P Channel, -20V, -1.3A, 0.14ohm, power MOSFET. This miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS(on) provides higher efficiency and extends battery life
- Drain to source breakdown voltage is -20V min
- Zero gate voltage drain current is -1µA at (VDS = -16V, VGS = 0V)
- Gate threshold voltage is -1.25V
- 225pF input capacitance at VDS = -5V
- 7/18ns turn-on/off delay time, 15/9ns rise/fall time (VGS=-4.5V, VDD=-5V, ID=-1A, RL=5ohm, RG=6ohm)
- Thermal resistance junction to ambient (RJA) is 300°C/W
- 400mW total power dissipation at TA = 25°C
- 3-pin SOT-23 package saves board space
- Operating and storage temperature (TJ, Tstg) range from - 55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTR1P02LT3G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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