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NTMTS4D3N15MC
MOSFET, CANAL N, 150V, 174A, DFNW
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.460 |
| 10+ | $6.770 |
| 25+ | $6.330 |
| 50+ | $5.910 |
| 100+ | $5.480 |
| 250+ | $5.170 |
| 500+ | $4.860 |
| 1000+ | $4.310 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMTS4D3N15MCCopiar
No. Parte Newark50AJ5898
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id174A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFNW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia293W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3400µohm
Diseño de Transistor
DFNW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
174A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
Disipación de Potencia
293W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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