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NTMT125N65S3H
MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TDFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT125N65S3HCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50AJ5901RL
Cinta adhesiva50AJ5901
Rango de ProductoSUPERFET III
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.500 | $5.50 |
| Total Precio | $5.50 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.500 |
| 50+ | $3.700 |
| 100+ | $3.190 |
| 250+ | $3.130 |
| 500+ | $3.060 |
| 1000+ | $3.000 |
| 2500+ | $2.930 |
| 5000+ | $2.870 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT125N65S3HCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50AJ5901RL
Cinta adhesiva50AJ5901
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.108ohm
Diseño de TransistorTDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia171W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
SUPERFET III
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.108ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
171W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto