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NTMT045N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Canal N, 55 A, 650 V, 0.05 ohm, TDFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT045N065SC1
No. Parte Newark57AK6421
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
348 En Inventario
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| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $12.800 | $8.500 |
| 25+ | $9.000 | $8.500 |
| 50+ | $8.400 | $8.400 |
| 100+ | $7.800 | $7.800 |
| 250+ | $7.620 | $7.620 |
| 500+ | $7.460 | $7.460 |
| 1000+ | $7.280 | $7.280 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT045N065SC1
No. Parte Newark57AK6421
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFET-
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id55
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Diseño de TransistorTDFN
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia187
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
-
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
187
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto