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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.650 |
| 10+ | $2.380 |
| 25+ | $2.210 |
| 50+ | $2.030 |
| 100+ | $1.800 |
| 250+ | $1.510 |
| 500+ | $1.440 |
| 1000+ | $1.380 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.65
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFSS1D5N06CLCopiar
No. Parte Newark86AK8600
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id237A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1050µohm
Diseño de TransistorTDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia144W
No. de Pines9Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
237A
Diseño de Transistor
TDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
144W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1050µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
9Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
