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NTMFS5C670NLT1G
MOSFET, N-CH, 60V, 71A, DFN
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS5C670NLT1G
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)75Y1891
Cinta adhesiva75Y1891
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 50 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.855 |
| 10+ | $0.558 |
| 25+ | $0.499 |
| 50+ | $0.440 |
| 100+ | $0.380 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS5C670NLT1G
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)75Y1891
Cinta adhesiva75Y1891
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id71
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia61
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NTMFS5C670NLT1G is a single N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- Continuous drain current is 71A
- Power dissipation is 61W at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -4.7mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Input capacitance is 1400pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 11ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 60ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Zero gate voltage drain current is 10µA maximum at (TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN5 package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6100µohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
71
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
61
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto