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NTMFS5C628NLT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 150 A, 0.0024 ohm, DFN, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS5C628NLT1G
No. Parte Newark08AC2839
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.600 |
| 10+ | $1.080 |
| 25+ | $0.973 |
| 50+ | $0.864 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS5C628NLT1G
No. Parte Newark08AC2839
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id150
Resistencia de Activación Rds(on)0.002ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0024
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia110
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.002ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia Pd
110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0024
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTMFS5C628NLT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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