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NTMFS4C05NT1G
MOSFET Transistor, N Channel, 78 A, 30 V
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS4C05NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark51Y4998
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.070 |
| 10+ | $0.664 |
| 25+ | $0.586 |
| 50+ | $0.508 |
| 100+ | $0.430 |
| 250+ | $0.380 |
| 500+ | $0.329 |
| 1000+ | $0.261 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS4C05NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark51Y4998
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id78A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia33W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3400µohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
78A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
33W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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