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NTMFS10N7D2C
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS10N7D2C
No. Parte Newark22AC8496
Rango de ProductoPowerTrench Series
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.120 |
| 10+ | $2.910 |
| 25+ | $2.630 |
| 50+ | $2.350 |
| 100+ | $2.060 |
| 250+ | $1.980 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS10N7D2C
No. Parte Newark22AC8496
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id78
Resistencia de Activación Rds(on)0.0059ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0072
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NTMFS10N7D2C is a power trench, N‐channel, shielded gate MOSFET. This N-channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. Application includes primary DC−DC MOSFET, synchronous rectifier in DC−DC and AC−DC, motor drive and solar.
- Lowers switching noise/EMI
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 100V (TA = 25°C)
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Gate to source voltage is ±20V (TA = 25°C)
- Drain current is 78A (continuous, TC = 25°C)
- Single pulse avalanche energy is 216mJ (TC = 25°C)
- Power dissipation is 83W (TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 13ns (typ, VDD = 50V, ID = 28A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm,TJ = 25°C)
- PQFN8 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0059ohm
Diseño de Transistor
Power 56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
78
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0072
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
83W
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTMFS10N7D2C
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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