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NTMFS0D5N03CT1G
MOSFET, CANAL N, 30V, 464A, SO-8 FL
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS0D5N03CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark32AJ8444
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.950 |
| 10+ | $1.920 |
| 25+ | $1.670 |
| 50+ | $1.430 |
| 100+ | $1.180 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $1.010 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS0D5N03CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark32AJ8444
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id464A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente430µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSO-8 FL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
430µohm
Diseño de Transistor
SO-8 FL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
464A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia
200W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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