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NTMD6N02R2G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6.5 A, 35 mohm, SOIC, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.494 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMD6N02R2G
No. Parte Newark70K4028
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id6.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.035ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Disipación de Potencia Pd2W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.035ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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