Imprimir página
NTJS4151PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJS4151PT1G
No. Parte Newark
Hilado completo45J2159
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7048
Cinta adhesiva81Y7048
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
250 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.467 |
| 10+ | $0.308 |
| 25+ | $0.285 |
| 50+ | $0.261 |
| 100+ | $0.238 |
| 250+ | $0.217 |
| 500+ | $0.195 |
| 1000+ | $0.178 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.136 |
| 6000+ | $0.135 |
| 12000+ | $0.132 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJS4151PT1G
No. Parte Newark
Hilado completo45J2159
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7048
Cinta adhesiva81Y7048
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id4.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia1
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTJS4151PT1G
2 productos encontrados
Resumen del producto
The NTJS4151PT1G is a P-channel single Trench Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -3.3A continuous drain current. It is suitable for use as high side load switches, cell phones, computing, digital cameras, MP3s and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- Small outline (2 x 2 mm) for maximum circuit board utilization
- Gate diodes for ESD protection
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto