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NTJD4105CT2G
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD4105CT2GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC3885
Cinta adhesiva13AC3885
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.411 | $0.41 |
| Total Precio | $0.41 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.411 |
| 10+ | $0.263 |
| 25+ | $0.233 |
| 50+ | $0.203 |
| 100+ | $0.173 |
| 250+ | $0.154 |
| 500+ | $0.134 |
| 1000+ | $0.121 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTJD4105CT2GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC3885
Cinta adhesiva13AC3885
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N630
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P630
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.29
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.29
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N270
Disipación de Potencia de Canal P270
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
630
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.29
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
270
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
630
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.29
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
270
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTJD4105CT2G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
