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NTHS5441T1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5.3 A, 0.046 ohm, ChipFET, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHS5441T1G
No. Parte Newark88H5108
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id5.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.046ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.046
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Diseño de TransistorChipFET
Disipación de Potencia1.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.046ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Diseño de Transistor
ChipFET
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.046
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
Disipación de Potencia
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto