Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL060N090SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark91AH8485
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
1,661 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.490 |
| 10+ | $8.270 |
| 25+ | $8.100 |
| 50+ | $7.920 |
| 100+ | $7.750 |
| 250+ | $7.570 |
| 500+ | $7.420 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.49
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHL060N090SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark91AH8485
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id46
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia221
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
NTHL060N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are UPS, DC to DC converter, and boost inverter.
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 113pF)
- Typical RDS(on)= 60mohm at VGS = 15V
- Ultra low gate charge (typical QG(tot)= 87nC)
- Drain-to-source voltage is 900V at TJ = 25°C
- Gate-to-source voltage is +22/-8V at TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO-247-3LD package
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
46
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
221
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
