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NTH4L160N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L160N120SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark91AH8493
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.630 |
| 10+ | $5.510 |
| 25+ | $5.380 |
| 50+ | $5.250 |
| 100+ | $5.110 |
| 250+ | $4.980 |
| 500+ | $4.880 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L160N120SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark91AH8493
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id17.3
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1
Disipación de Potencia111
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
17.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
111
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto