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NTH4L022N120M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L022N120M3S
No. Parte Newark90AJ6554
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio | Precio promocional |
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| 10+ | $12.810 | $6.340 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L022N120M3S
No. Parte Newark90AJ6554
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id68
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.72
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia352
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTH4L022N120M3S
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Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.72
Disipación de Potencia
352
Rango de Producto
EliteSiC Series
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
68
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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