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NTH4L020N090SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L020N090SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark57AK6416
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $25.380 |
| 5+ | $22.490 |
| 10+ | $19.600 |
| 25+ | $19.210 |
| 50+ | $18.820 |
| 100+ | $18.420 |
| 250+ | $18.030 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L020N090SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark57AK6416
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id116
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia484
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
116
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
484
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto