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NTGS4141NT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 7 A, 0.025 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGS4141NT1GCopiar
No. Parte Newark90W9309
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id7
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTGS4141NT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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