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NTGS3443T1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2 A, 0.065 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGS3443T1G
No. Parte Newark47T5420
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Hoja de datos técnicos
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.773 |
| 10+ | $0.500 |
| 25+ | $0.442 |
| 50+ | $0.385 |
| 100+ | $0.328 |
| 250+ | $0.289 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.245 |
| 6000+ | $0.237 |
| 12000+ | $0.215 |
| 18000+ | $0.213 |
| 30000+ | $0.210 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGS3443T1G
No. Parte Newark47T5420
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTGS3443T1G
3 productos encontrados
Resumen del producto
The NTGS3443T1G is a P-channel Power MOSFET offers -20V drain source voltage and -2.2A continuous drain current. It is suitable for power management in portable and battery-powered products, cellular and cordless telephones and PCMCIA cards.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Miniature surface-mount package
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65