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NTF5P03T3G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF5P03T3GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06R3475
Cinta adhesiva06R3475
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.130 | $1.13 |
| Total Precio | $1.13 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.130 |
| 25+ | $0.781 |
| 50+ | $0.667 |
| 100+ | $0.553 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF5P03T3GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06R3475
Cinta adhesiva06R3475
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.13W
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia3.13
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NTF5P03T3G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -5.2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, inductive loads and replaces MMFT5P03HD.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Logic level gate drive
- Miniature surface-mount package
- Avalanche energy specified
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.13W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
3.13
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTF5P03T3G
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto