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NTF3055L108T1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF3055L108T1G
No. Parte Newark58M9898
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.520 |
| 10+ | $0.472 |
| 25+ | $0.434 |
| 50+ | $0.397 |
| 100+ | $0.359 |
| 250+ | $0.343 |
| 500+ | $0.327 |
| 1000+ | $0.256 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF3055L108T1G
No. Parte Newark58M9898
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.68
Disipación de Potencia2.1
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.68
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTF3055L108T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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WARNINGProposition 65