Imprimir página
NTF2955T1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 22 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.643 |
| 2000+ | $0.631 |
| 4000+ | $0.619 |
| 6000+ | $0.607 |
| 10000+ | $0.606 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$643.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF2955T1G
No. Parte Newark45J2134
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.145
Resistencia de Activación Rds(on)0.145ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1W
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
NTF2955T1G is a single, P-channel power MOSFET. The applications include power supplies, PWM motor control, converters, and power management.
- Drain-to-source on resistance is 145mohm typ (VGS = -10V, ID = -0.75A)
- Gate-to-source voltage is ±20V (TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -2.6A (TJ = 25°C, steady state)
- Power dissipation is 2.3W (TJ = 25°C, steady state)
- Pulsed drain current is -17A (tp = 10µs, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V min (VGS = 0V, ID = -250µA, TJ=25°C)
- Gate threshold voltage range from -2.0 to -4.0V (VGS = VDS, ID = -1.0mA, TJ=25°C)
- Forward transconductance is 1.77S typ (VGS = -15V, ID = -0.75A, TJ=25°C)
- Turn-on delay time is 11ns rtp (VGS = 10V, VDD = 25V, ID = 1.5A, RG = 9.1ohm, RL = 25ohm)
- SOT-223 package, operating junction range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.145
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.145ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTF2955T1G
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65