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NTD5867NLT4G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD5867NLT4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40T1782RL
Cinta adhesiva40T1782
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.660 | $1.66 |
| Total Precio | $1.66 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.660 |
| 50+ | $1.070 |
| 100+ | $0.722 |
| 250+ | $0.660 |
| 500+ | $0.598 |
| 1000+ | $0.558 |
| 2500+ | $0.483 |
| 5000+ | $0.473 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD5867NLT4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)40T1782RL
Cinta adhesiva40T1782
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd36W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8V
Disipación de Potencia36W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTD5867NLT4G
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El NTD5867NLT4G de On Semiconductor es un MOSFET de potencia de canal N de 60V de montaje en superficie en paquete DPAK. Este dispositivo cuenta con capacidad de alta corriente, bajo RDS (encendido) y prueba de avalancha, lo que da como resultado pérdidas mínimas de conducción, rendimiento de carga robusto y protección contra sobrecarga de voltaje. Este MOSFET se utiliza para retroiluminación LED, convertidor de CD a CD, controlador de motor e inversor de UPS.
- Voltaje drenaje a fuente (Vds) de 600V
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V (continuo)
- La corriente de drenaje continua (Id) es 20A
- Disipación de energía (Pd) de 36W
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
- Voltaje de umbral de compuerta de 1.8V
- Baja resistencia de estado encenddo de 26mohm a Vgs 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
36W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
36W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto