Imprimir página
NTD2955T4G
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD2955T4GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10N9570
Cinta adhesiva10N9570
Su número de pieza
138,985 En Inventario
¿Necesita más?
1485 Entrega en EE. UU. en 1-3 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
137500 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.940 | $1.94 |
| Total Precio | $1.94 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.940 |
| 10+ | $1.110 |
| 25+ | $1.040 |
| 50+ | $0.961 |
| 100+ | $0.887 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD2955T4GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10N9570
Cinta adhesiva10N9570
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.155ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd55W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia55
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTD2955T4G es un MOSFET de potencia de canal P de -60V diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motores de potencia. Este dispositivo es particularmente adecuado para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y las áreas de operación seguras de conmutación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.
- Energía de avalancha especificada
- IDSS y VDS (encendidos) especificados a temperatura elevada
- Voltaje de puerta a fuente ±20VCD
- Resistencia térmica de 2.73 °C/W, de unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
55W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.155ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
55
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTD2955T4G
2 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto