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NTD25P03LT4G
MOSFET de Potencia, Señal Pequeña, Canal P, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD25P03LT4G
No. Parte Newark06R3474
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia de Activación Rds(on)0.056ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd75W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia75
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza NTD25P03LT4G
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El NTD25P03LT4G es un MOSFET de potencia de canal P de -30V diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad y para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. La fuente para drenar el tiempo de recuperación del diodo es comparable a un diodo de recuperación rápido discreto.
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.056ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
75W
Disipación de Potencia
75
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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WARNINGProposition 65