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NTBG040N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG040N120SC1
No. Parte Newark91AH8445
Rango de ProductoEliteSiC Series
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG040N120SC1
No. Parte Newark91AH8445
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Diseño de TransistorTO-263HV (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia357
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
357
Rango de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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