Imprimir página
NTBG020N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG020N120SC1
No. Parte Newark
Hilado completo91AH8444
Re-reeling (Rollos a medida)54AH9493
Cinta adhesiva54AH9493
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
942 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $48.720 | $48.72 |
| Total Precio | $48.72 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $48.720 |
| 10+ | $41.770 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $25.230 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG020N120SC1
No. Parte Newark
Hilado completo91AH8444
Re-reeling (Rollos a medida)54AH9493
Cinta adhesiva54AH9493
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id98
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia468
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
7Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
468
Rango de Producto
EliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
98
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTBG020N120SC1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto