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NTBG014N120M3P
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 104 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG014N120M3P
No. Parte Newark65AK6014
Rango de ProductoEliteSiC Series
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Hoja de datos técnicos
613 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 250+ | $20.240 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTBG014N120M3P
No. Parte Newark65AK6014
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id104
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.63
Disipación de Potencia227
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
104
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.63
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
227
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTBG014N120M3P
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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