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NTA7002NT1G.
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTA7002NT1G.Copiar
No. Parte Newark26AC2741
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id154
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.4
Resistencia de Activación Rds(on)1.4ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSC-75
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.4
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
154
Resistencia de Activación Rds(on)
1.4ohm
Disipación de Potencia Pd
300mW
Diseño de Transistor
SC-75
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTA7002NT1G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto