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NTA4151PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTA4151PT1G
No. Parte Newark10N9708
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTA4151PT1G
No. Parte Newark10N9708
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id760
Resistencia de Activación Rds(on)0.26ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.36
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd301mW
Diseño de TransistorSC-75
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente450
Disipación de Potencia301
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.26ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
301mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
450
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
760
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.36
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SC-75
Disipación de Potencia
301
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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WARNINGProposition 65