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NSVMUN5111DW1T3G
TRANS, AEC-Q101, DUAL PNP, -50V, SOT-363
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Opciones de embalaje
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.284 |
| 10+ | $0.179 |
| 25+ | $0.158 |
| 50+ | $0.138 |
| 100+ | $0.117 |
| 250+ | $0.104 |
| 500+ | $0.090 |
| 1000+ | $0.074 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$1.42
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSVMUN5111DW1T3G
No. Parte Newark13AC3872
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadDual PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R110kohm
Resistencia R2 Base Emisor10kohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia385mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35hFE
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Dual PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Resitencia Básica de Entrada R1
10kohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
10kohm
No. de Pines
6 Pin
Disipación de Potencia
385mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35hFE
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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