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NJT4030PT1G.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNJT4030PT1G.Copiar
No. Parte Newark28AC0034
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Corriente del Colector Continua3
Corriente de Colector DC3A
Disipación de Potencia Pd2W
Disipación de Potencia2
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Diseño de TransistorSOT-223
No. de Pines4Pines
Frecuencia de Transición160
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Corriente de Colector DC
3A
Disipación de Potencia
2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
4Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia Pd
2W
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
Diseño de Transistor
SOT-223
Frecuencia de Transición
160
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NJT4030PT1G.
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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