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NDT451AN
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 7.2 A, 35 mohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT451AN
No. Parte Newark58K2022
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.554 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.561 |
| 6000+ | $0.510 |
| 12000+ | $0.459 |
| 18000+ | $0.442 |
| 30000+ | $0.432 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT451AN
No. Parte Newark58K2022
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id7.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NDT451AN es un Power FET de modo de mejora de canal N producido con la tecnología DMOS de alta densidad celular patentada de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y proporcionar un rendimiento de conmutación superior. Es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, como la conversión de CD a CD, donde se necesita una conmutación rápida, baja pérdida de potencia en línea y resistencia a los transitorios.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
7.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Disipación de Potencia Pd
3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NDT451AN
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto