NDT3055L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.410 |
| 25+ | $0.924 |
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| 100+ | $0.637 |
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| 500+ | $0.461 |
| 1000+ | $0.432 |
| 2500+ | $0.425 |
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.406 |
| 8000+ | $0.390 |
Información del producto
Resumen del producto
El NDT3055L es un MOSFET de molde de mejora de nivel lógico de canal N que utiliza tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son especialmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje, como convertidores de CD/CD, controles de motor PWM y otros circuitos alimentados por batería donde se necesita una conmutación rápida, baja pérdida de energía en línea y resistencia a los transitorios.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Requisitos de unidad bajos que permiten la operación directamente desde controladores lógicos
Especificaciones técnicas
Canal N
4A
SOT-223
10V
3W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
60V
0.1ohm
Montaje Superficial
1.6V
4Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDT3055L
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65