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NDT014L
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 2.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT014LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark34X1292
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.610 |
| 10+ | $1.010 |
| 25+ | $0.900 |
| 50+ | $0.788 |
| 100+ | $0.675 |
| 250+ | $0.603 |
| 500+ | $0.530 |
| 1000+ | $0.483 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT014LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark34X1292
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.8
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NDT014L is a N-channel logic level enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC conversion where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto