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NDSH30120C-F155
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, EliteSiC Series, Único, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDSH30120C-F155
No. Parte Newark04AM1316
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.440 |
| 10+ | $11.780 |
| 25+ | $11.740 |
| 50+ | $11.700 |
| 100+ | $11.650 |
| 250+ | $11.610 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDSH30120C-F155
No. Parte Newark04AM1316
Rango de ProductoEliteSiC Series
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de DiodoSingle
Voltaje Reverso Pico Repetitivo1.2
Corriente Directa Promedio30
Carga Capacitiva Total132
Estilo de la Carcasa del DiodoTO-247
No. de Pines2 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje del DiodoThrough Hole
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Rango de Producto
EliteSiC Series
Voltaje Reverso Pico Repetitivo
1.2
Carga Capacitiva Total
132
No. de Pines
2 Pin
Montaje del Diodo
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Configuración de Diodo
Single
Corriente Directa Promedio
30
Estilo de la Carcasa del Diodo
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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