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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.640 | $0.64 |
| Total Precio | $0.64 | ||
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.640 |
Información del producto
Resumen del producto
El NDS9945 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N dual de 60 V producido con tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y minimizar la resistencia en estado activo. Es especialmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, como el control de motores de unidades de disco, circuitos alimentados por batería donde se necesita una conmutación rápida, baja pérdida de energía en línea y resistencia a los transitorios. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Resistencia térmica 78°C/W, unión a ambiente
- Resistencia térmica de 40°C/W, unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Canal N
60
60
3.5
0.076
8Pines
1.6
-
MSL 1 - Unlimited
60V
3.5A
3.5
0.076
SOIC
1.6
150
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDS9945
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
