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NDS352AP
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS352AP
No. Parte Newark
Hilado completo83AK7124
Re-reeling (Rollos a medida)26M1843
Cinta adhesiva26M1843
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
3,089 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.721 |
| 10+ | $0.448 |
| 25+ | $0.394 |
| 50+ | $0.342 |
| 100+ | $0.288 |
| 250+ | $0.254 |
| 500+ | $0.219 |
| 1000+ | $0.197 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.161 |
| 6000+ | $0.153 |
| 12000+ | $0.146 |
| 18000+ | $0.138 |
| 30000+ | $0.128 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS352AP
No. Parte Newark
Hilado completo83AK7124
Re-reeling (Rollos a medida)26M1843
Cinta adhesiva26M1843
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id900mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NDS352AP
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The NDS352AP is a P-channel Logic Level Enhancement Mode Power Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device is particularly suited for low voltage applications where fast high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
900mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65