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NDS331N
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS331NCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K2016
Cinta adhesiva58K2016
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
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| Cinta adhesiva | 1 | $0.097 | $0.10 |
| Total Precio | $0.10 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $0.097 | $0.097 |
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| 100+ | $0.000 | $0.097 |
| 250+ | $0.000 | $0.097 |
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| 1000+ | $0.000 | $0.097 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDS331NCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)58K2016
Cinta adhesiva58K2016
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NDS331N es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel de canal N que utiliza tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado. Adecuado para aplicaciones de bajo voltaje en tarjetas PCMCIA y otros circuitos alimentados por batería, donde se necesita una conmutación rápida y baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie muy pequeño.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Excepcional resistencia de encendido y capacidad máxima de corriente CD
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
500mW
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDS331N
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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