NDS0610
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.626 | $0.63 |
| Total Precio | $0.63 | ||
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.626 |
| 50+ | $0.298 |
| 100+ | $0.266 |
| 250+ | $0.238 |
| 500+ | $0.209 |
| 1000+ | $0.205 |
| 2500+ | $0.201 |
| 5000+ | $0.196 |
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.167 |
| 9000+ | $0.156 |
| 15000+ | $0.153 |
Información del producto
Resumen del producto
El NDS0610 es un FET de modo de mejora de canal P producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento robusto y confiable y una conmutación rápida. Se pueden utilizar, con un mínimo de esfuerzo, en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 120mA de CD y pueden suministrar una corriente de hasta 1A. Este producto es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje que requieren un interruptor de lado alto de baja corriente.
- Interruptor de señal pequeña de canal p controlado por voltaje
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Corriente de saturación alta
Especificaciones técnicas
Canal P
60
10
Montaje Superficial
10
SOT-23
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
Canal P
120
10ohm
360mW
1.7
360
150
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDS0610
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RoHS
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