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NDC7002N
MOSFET Dual, Canal N, 50 V, 510 mA, 2 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7002NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5918
Re-reeling (Rollos a medida)79K5296RL
Cinta adhesiva79K5296
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.794 | $0.79 |
| Total Precio | $0.79 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.794 |
| 50+ | $0.491 |
| 100+ | $0.317 |
| 250+ | $0.279 |
| 500+ | $0.241 |
| 1000+ | $0.217 |
| 2500+ | $0.213 |
| 5000+ | $0.208 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.231 |
| 6000+ | $0.207 |
| 12000+ | $0.189 |
| 18000+ | $0.178 |
| 30000+ | $0.166 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7002NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5918
Re-reeling (Rollos a medida)79K5296RL
Cinta adhesiva79K5296
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N510mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N700mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NDC7002N is a dual N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
510mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2ohm
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
700mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDC7002N
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
