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NDC7002N
MOSFET Dual, Canal N, 50 V, 510 mA, 2 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7002NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark67R2122
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 9 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.190 |
| 6000+ | $0.174 |
| 9000+ | $0.171 |
| 15000+ | $0.167 |
| 30000+ | $0.164 |
| 75000+ | $0.160 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$570.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDC7002NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark67R2122
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50
Intensidad Drenador Continua Id510mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N510
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N700
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NDC7002N es un FET de modo de mejora de canal N dual producido con alta densidad celular y tecnología DMOS. Este proceso de muy alta densidad ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento robusto y confiable y una conmutación rápida. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje que requieren un interruptor lateral alto de baja corriente.
- Corriente de saturación alta
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Diseño con marco de plomo de cobre para capacidades térmicas y eléctricas superiores
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
510mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
510
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
700
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NDC7002N
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
