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NCV8402ASTT3G
MOSFET de Potencia, Canal N, 42 V, 2.37 A, 0.165 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNCV8402ASTT3GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark13AC6171
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNCV8402ASTT3GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark13AC6171
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds42
Intensidad Drenador Continua Id2.37
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.165
Resistencia de Activación Rds(on)0.165ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Disipación de Potencia1.1
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
CalificaciónAEC-Q100
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q100
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (14-Jun-2023)
Resumen del producto
NCV8402ASTT3G is a three-terminal protected low−side smart discrete device. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD and integrated drain−to−gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments. The application includes switch a variety of resistive, inductive and capacitive loads, can replace electromechanical relays and discrete circuits, automotive/industrial.
- Short−circuit protection, thermal shutdown with automatic restart
- Overvoltage protection, integrated clamp for inductive switching
- ESD protection, dV/dt robustness, analog drive capability (logic level input)
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable, gate input current is 50µA typ at (VDS = 0V, VGS = 5V)
- Slew−rate ON (70% to 50% VDD) is 0.8µVs typ at (VGS = 10V, VDD = 12V, ID = 2.5A, RL = 4.7 ohm)
- Current limit is 4.3A typical at (VDS = 10V, VGS = 5.0V, TJ = 25°C)
- Source−drain forward on voltage is 1V typ at (VGS = 0V, IS = 7A)
- Gate threshold temperature coefficient 4mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Operating junction temperature range from -40°C to +150°C
- SOT−223 package
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.165
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
No. de Pines
4Pines
Calificación
AEC-Q100
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q100
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (14-Jun-2023)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.37
Resistencia de Activación Rds(on)
0.165ohm
Disipación de Potencia Pd
1.1W
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
1.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NCV8402ASTT3G
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (14-Jun-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto