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N25S830HAS22I
SRAM, SRAM síncrona, 256 Kbit, 32K x 8bit, SOIC, 8 Pines, 2.7 V
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteN25S830HAS22I
No. Parte Newark03P1180
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM síncrona
Tamaño de la Memoria256Kbit
Densidad de Memoria256
Configuración Memoria SRAM32K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango2.7V to 3.6V
Configuración de Memoria32K x 8bit
Memoria, TipoSOIC
Estuche / Paquete CISOIC
No. de Pines8Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj20
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza N25S830HAS22I
2 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM síncrona
Densidad de Memoria
256
Tensión de Alimentación, Rango
2.7V to 3.6V
Memoria, Tipo
SOIC
No. de Pines
8Pines
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
256Kbit
Configuración Memoria SRAM
32K x 8bit
Configuración de Memoria
32K x 8bit
Estuche / Paquete CI
SOIC
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
20
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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