Imprimir página
MTP3055VL
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMTP3055VLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark18C7756
Su número de pieza
383 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.480 |
| 10+ | $1.340 |
| 100+ | $1.230 |
| 500+ | $1.030 |
| 1000+ | $0.965 |
| 2500+ | $0.946 |
| 5000+ | $0.926 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.48
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMTP3055VLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark18C7756
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd48W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia48
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MTP3055VL es un MOSFET de nivel lógico de canal N diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad. Este MOSFET presenta una conmutación más rápida y una carga de compuerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de manejar (incluso a frecuencias muy altas). El robusto diodo interno de fuente y drenaje puede eliminar la necesidad de un supresor de transitorios de diodo Zener externo.
- Parámetros eléctricos críticos de corriente continua especificados a temperatura elevada
- Requisitos de unidad bajos que permiten la operación directamente desde controladores lógicos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
48W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
48
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
