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MPSH10
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 25 V, 50 mA, 350 mW, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMPSH10
No. Parte Newark58K1963
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMPSH10
No. Parte Newark58K1963
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo25V
Voltaje Máx. Colector a Emisor25
Corriente del Colector Continua50
Disipación de Potencia Pd350mW
Disipación de Potencia350
Corriente de Colector DC50mA
Ganancia de Corriente DC hFE60hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-92
Frecuencia de Transición650
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25
Disipación de Potencia Pd
350mW
Corriente de Colector DC
50mA
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-92
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
25V
Corriente del Colector Continua
50
Disipación de Potencia
350
Ganancia de Corriente DC hFE
60hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
650
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto