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MPS6523G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 25 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Agujero Pasante
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semanas
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMPS6523G
No. Parte Newark42K1501
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo25V
Voltaje Máx. Colector a Emisor25
Corriente de Colector DC100mA
Frecuencia de Transición-
Corriente del Colector Continua100
Disipación de Potencia625
Disipación de Potencia Pd625mW
Ganancia de Corriente DC hFE600hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-92
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.600
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
25
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
625
Ganancia de Corriente DC hFE
600hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
600
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
25V
Corriente de Colector DC
100mA
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia Pd
625mW
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-92
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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